首页 > 商品目录 > > > > PSMN057-200B,118代替型号比较

PSMN057-200B,118  与  IPB320N20N3 G  区别

型号 PSMN057-200B,118 IPB320N20N3 G
唯样编号 A36-PSMN057-200B,118 A-IPB320N20N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ@17A,10V 28mΩ
上升时间 - 9ns
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 250W 136W
Qg-栅极电荷 - 29nC
输出电容 385pF -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 27S
典型关闭延迟时间 - 21ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 39A 34A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 3750pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

暂无价格 0 当前型号
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB320N20N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB320N20N3GATMA1_200V 34A 28mΩ 20V 136W -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFS4227TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRFS38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS38N20DTRRP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 43A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) 54mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消